Замена встроенной памяти TLC на MLC (NAND) решает проблемы в iPhone 6 и iPhone 6 Plus

Компания Apple приняла решение о замена модулей памяти TLC NAND на MLC NAND, после поступления неоднократных жалоб пользователей на сбои и ошибки в работе смартфонов, которые приводили к постоянной перезагрузке iPhone 6 и iPhone 6 Plus.

iphone11

Виды памяти NAND: SLC, MLC и TLC уже давно используются в устройствах хранения информации.

Это три разных типа NAND, главным технологическим отличием между которыми является количество битов, хранящихся в ячейке памяти. SLC является самой старой из трех технологий, и вы вряд ли найдете современный SSD с такой NAND. На борту большинства накопителей сейчас MLC, а TLC – это новое слово на рынке памяти для твердотельных накопителей.

iphone2

SLC – Single Level Cell – ячейка с одним уровнем. Имеет высокую производительность, низкое потребление энергопотребления, наибольшую скорость записи и количество циклов Program/Erase. Такой тип памяти обычно используется в серверах высокого уровня, поскольку стоимость SSD на их основе велика.

MLC — Multi Level Cell – ячейка с несколькими уровнями. Обладает меньшей стоимостью, по сравнению с SLC, однако обладает меньшей выносливостью и меньшим количеством циклов Program/Erase. Является хорошим решением для коммерческих и рабочих платформ — имеет хорошее соотношение цена/скорость работы.

TLC — Three Level Cell – ячейка с тремя уровнями. Обладает большей плотностью, но меньшей выносливостью, медленной скоростью чтения и записи и меньшим количеством циклов Program/Erase по сравнению с SLC и MLC. До настоящего момента, память типа TLC NAND использовалась в основном в flash-накопителях (флешках), однако совершенствование технологий производства делает возможным его использование и в стандартных SSD.

iphone3

Физически, все три типа технологий NAND памяти состоят из одинаковых транзисторов, единственным отличием является то, что они хранят в себе различное количество зарядов. Все три работают одинаково: при появлении напряжения ячейка переходит из состояния «выключено» в состояние «включено». SLC использует два отдельных значения напряжения для представления одного бита информации на ячейку и двух логических уровней (0 и 1). MLC использует четыре отдельных значения напряжения для представления четырех логических состояний (00, 01, 10, 11) или двух битов. TLC использует восемь отдельных значений напряжения для представления восьми логических состояний (000, 001, 010, 011, 100, 101, 110, 111) или трех битов информации.

Поскольку в SLC используется только два значения напряжения, они могут сильнее отличаться друг от друга, уменьшая потенциальную возможность некорректно интерпретировать текущее состояние ячейки и позволяя использовать стандартные условия коррекции ошибки NAND. Вероятность ошибок чтения увеличивается при использовании TLC NAND, поэтому такой тип памяти требует большего объема ECC (Error Correction Code – код коррекции ошибок) при исчерпании ресурса NAND, поскольку в TLC приходится корректировать сразу три бита информации, в отличие от одного для SLC и двух для MLC.

Apple планирует в самом ближайшем будущем прекратить оснащать новые смартфоны iPhone 6 и iPhone 6 Plus модулями памяти TLC NAND. Вместо этого флагманы будут поставляться со встроенными модулями MLC NAND. В отличие от TLC, модуль MLC NAND может похвастаться меньшим временем чтения и стирания информации в ячейке и большим количеством циклов перезаписи. По предварительной информации, за производство дефектных модулей памяти несёт ответственность компания Anobit. Примечательно, что память MLC NAND уже использовалась ранее в предыдущих версиях iPhone. Теперь ей также оснастят iPhone 6 и iPhone 6 Plus с 64 ГБ и 128 ГБ внутренней памяти. Apple обещает исправить проблему с постоянными перезагрузками флагманов с выходом обновления iOS 8.1.1.

По материалам: macrumors.com